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时间:2019-06-10 21:39:44 IT中国 ITCN

  近日,三星在Samsung Foundry Forum大会上,宣布了一个重磅炸弹,那就是其3nm Gate-All-Around(GAA)工艺已经在开发中了,与7nm技术相比,三星的3GAE工艺将减少45%芯片面积%,功耗降低50%,性能提高35%,同时预计在 2021年量产,将服务于人工智能(AI)、机器学习、5G网络、汽车、物联网(物联网(IoT)以及高级数据中心等诸多领域。


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  而三星电子铸造业务总裁兼负责人ES Jung博士也称:“我们站在第四次工业革命的边缘,这是一个高性能计算和连接的新时代,这将推动地球上每个人的日常生活,

  三星的路线图包括四种基于FinFET的工艺,从7nm到4nm,采用极紫外(EUV)技术以及3nm GAA或MBCFET。而在今年下半年,三星计划开始批量生产6nm工艺产品并完成4nm工艺的开发。

  三星5nm FinFET工艺的产品设计于4月开发,预计将于今年下半年完成,并将于2020年上半年开始量产,进展非常迅猛。

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编辑:大米
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